SHALLOW DONOR SURFACE IMPURITY LEVELS IN SI AND GE

被引：8

作者：

TEFFT, WE

ARMSTRON.KR

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0039-6028(71)90279-2

中图分类号：

O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];

学科分类号：

070304 ; 081704 ;

摘要：

引用

页码：535 / &

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