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FORMATION OF INSULATING LAYERS IN GAAS-ALGAAS HETEROSTRUCTURES
被引：0
作者：
HOBSON, WS
PEARTON, SJ
ABERNATHY, CR
VONNEIDA, AE
机构：
来源：
CHEMISTRY AND DEFECTS IN SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
|
1989年
/
148卷
关键词：
D O I：
10.1557/PROC-148-397
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
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页码：397 / 402
页数：6
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