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IMPROVED ETCHING TECHNIQUE FOR SIC
被引:2
作者
:
SHAFFER, PTB
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0
SHAFFER, PTB
机构
:
来源
:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1968年
/ 39卷
/ 11期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.1655967
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:5332 / &
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