GAAS/GAALAS LASERS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：0

作者：

WEIMANN, G ^{[1
]}

SCHLAPP, W ^{[1
]}

机构：

[1] RES INST GERMAN FED PO,DARMSTADT,FED REP GER

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1982年 / 129卷 / 03期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：C99 / C99

页数：1

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