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ELECTRONIC-STRUCTURE OF CU, NI, CO, AND FE SUBSTITUTIONAL IMPURITIES IN GALLIUM-ARSENIDE
被引：63
作者：
FAZZIO, A
LEITE, JR
机构：
来源：
PHYSICAL REVIEW B
|
1980年
/
21卷
/
10期
关键词：
D O I：
10.1103/PhysRevB.21.4710
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
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页码：4710 / 4720
页数：11
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