IN SITU, REAL-TIME MONITORING OF ELECTRODE SURFACES BY STM .2. SURFACE-STRUCTURE OF N-GAAS DURING PHOTOANODIC DISSOLUTION

被引:10
作者
UOSAKI, K
FUKUDA, M
KITA, H
机构
来源
DENKI KAGAKU | 1989年 / 57卷 / 12期
关键词
D O I
10.5796/kogyobutsurikagaku.57.1213
中图分类号
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
081704 ;
摘要
引用
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页码:1213 / 1214
页数:2
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