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APPLICATION OF REVERSE EMITTER-BASE BREAKDOWN AND SATURATION OF SILICON PLANAR TRANSISTORS
被引：2
作者：
JOHNSON, SG
机构：
关键词：
D O I：
10.1049/el:19680086
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
引用
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页码：109 / &
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