X-RAY PHOTOEMISSION STUDIES OF SILICON AND GERMANIUM

被引：0

作者：

VESELY, CJ ^{[1
]}

KINGSTON, DL ^{[1
]}

LANGER, DW ^{[1
]}

机构：

[1] USAF,AEROSD RES LABS,WRIGHT-P AFB,OH

来源：

BULLETIN OF THE AMERICAN PHYSICAL SOCIETY | 1973年 / 18卷 / 03期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：382 / 382

页数：1