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HIGH-TEMPERATURE PROCESSING OF CZ SILICON SUBSTRATES - DEFECTS, DENUDED ZONES, AND MINORITY-CARRIER LIFETIME
被引：0
作者：
ROZGONI, GA
YONG, DK
CAO, YH
RADZIMSKI, Z
CHIOU, HD
机构：
[1] N CAROLINA STATE UNIV,DEPT MAT ENGN,RALEIGH,NC 27695
[2] MANSANTO ELECTR MAT CO,ST PETERS,MO 63376
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号：
081704 ;
摘要：
引用
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页码：C445 / C445
页数：1
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