SUBMICROMETER LIFT-OFF LINE WITH T-SHAPED CROSS-SECTIONAL FORM

被引：24

作者：

MATSUMURA, M

TSUTSUI, K

NARUKE, Y

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1981年 / 17卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19810298

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：429 / 430

页数：2

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共 3 条

[1]

GROBMAN WD, 1978, IEDM WASHINGTON, P58

[2] SUBMICROMETER GATE FABRICATION OF GAAS MESFET BY PLASMA ETCHING [J].

TAKAHASHI, S ;

MURAI, F ;

KODERA, H .

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1978, 25 (10) :1213-1218

[3] DOUBLE-LAYER RESIST FILMS FOR SUBMICROMETER ELECTRON-BEAM LITHOGRAPHY [J].

TODOKORO, Y .

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1980, 27 (08) :1443-1448