MOMBE AND PEMOCVD GROWTH OF GAAS ON SI (100) SUBSTRATES

被引：0

作者：

KAMP, M

LEIBER, J

MUSOLF, J

BRAUERS, A

WEYERS, M

HEINECKE, H

LUTH, H

BALK, P

机构：

来源：

HETEROSTRUCTURES ON SILICON : ONE STEP FURTHER WITH SILICON | 1989年 / 160卷

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：45 / 50

页数：6

相关论文

empty

未找到相关数据