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METHODS TO DECREASE DEFECT DENSITY IN GAAS/SI HETEROEPITAXY
被引：8
作者：
LILIENTALWEBER, Z
机构：
来源：
CHEMISTRY AND DEFECTS IN SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
|
1989年
/
148卷
关键词：
D O I：
10.1557/PROC-148-205
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
引用
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页码：205 / 215
页数：11
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