PROPERTIES OF NICKEL-DOPED GALLIUM-ARSENIDE

被引：0

作者：

SUCHKOVA, NI ^{[1
]}

ANDRIANOV, DG ^{[1
]}

OMELYANOVSKII, EM ^{[1
]}

RASHEVSKAYA, EP ^{[1
]}

SOLOVEV, NN ^{[1
]}

机构：

[1] MOSCOW RARE MET IND RES & DESIGN INST,MOSCOW,USSR

来源：

SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1975年 / 9卷 / 04期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

页码：469 / 471

页数：3

共 11 条

ALLEN, GA .

[2]

BAZHENOV VK, 1974, SOV PHYS SEMICOND+, V7, P1067

[3]

BAZHENOV VK, 1968, THESIS ODESSA

BROWN, WJ ;

BLAKEMOR.JS .

[5]

DEWIT M, 1962, B AM PHYS SOC, V7, P449

[6]

DOMANEVSKII DS, 1967, SOV PHYS SEMICOND+, V1, P310

[7]

FOIGEL MG, 1968, THESIS ODESSA

[8]

HAISTY RW, 1964, 7 P INT C PHYS SEM, V1, P1161

[9]

IVANENKOV VI, 1971, SOV PHYS SEMICOND+, V5, P1086

[10]

MATVEENKO YA, 1969, SOV PHYS SEMICOND+, V2, P1536