MOSFETS ON SILICON PREPARED BY MOVING MELT ZONE RECRYSTALLIZATION OF ENCAPSULATED POLYCRYSTALLINE SILICON ON AN INSULATING SUBSTRATE

被引:74
作者
MABY, EW [1 ]
GEIS, MW [1 ]
LECOZ, YL [1 ]
SILVERSMITH, DJ [1 ]
MOUNTAIN, RW [1 ]
ANTONIADIS, DA [1 ]
机构
[1] MIT,LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
来源
ELECTRON DEVICE LETTERS | 1981年 / 2卷 / 10期
关键词
D O I
10.1109/EDL.1981.25418
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:241 / 243
页数:3
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