SURFACE CHARGE AND ANNEALING IN SI/SIO2 SYSTEM

被引：8
作者：
BROTHERTON, SD
LAMB, DR
CLANCY, JW
机构：
来源：
INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS | 1971年 / 31卷 / 06期
关键词：
D O I：
10.1080/00207217108938260
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：629 / +
页数：1
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