CRITICAL OXYGEN PARTIAL-PRESSURE FOR THE INSITU PREPARATION OF HIGH-TC SUPERCONDUCTING THIN-FILMS

被引：25

作者：

BORMANN, R ^{[1
]}

NOLTING, J ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV GOTTINGEN,INST PHYS CHEM,W-3400 GOTTINGEN,GERMANY

来源：

PHYSICA C | 1989年 / 162卷

关键词：

D O I：

10.1016/0921-4534(89)90927-1

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：81 / 82

页数：2

共 4 条

BORMANN, R ;

NOLTING, J .

[2]

BORMANN R, IN PRESS

[3]

HAMMOND RC, IN PRESS

MISSERT, N ;

HAMMOND, R ;

MOOIJ, JE ;

MATIJASEVIC, V ;

ROSENTHAL, P ;

GEBALLE, TH ;

KAPITULNIK, A ;

BEASLEY, MR ;

LADERMAN, SS ;

LU, C ;

GARWIN, E ;

BARTON, R .