PLANAR-DOPED BARRIERS IN GAAS BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：195

作者：

MALIK, RJ

AUCOIN, TR

ROSS, RL

BOARD, K

WOOD, CEC

EASTMAN, LF

机构：

[1] UNIV WALES,DEPT ELECT ENGN,SWANSEA SA2 8OO,W GLAMORGAN,WALES

[2] CORNELL UNIV,DEPT ELECT ENGN,ITHACA,NY 14853

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19800594

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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