FABRICATION OF LOW-NOISE SILICON RADIATION DETECTORS BY THE PLANAR PROCESS

被引：176
作者：
KEMMER, J
机构：
来源：
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS | 1980年 / 169卷 / 03期
关键词：
D O I：
10.1016/0029-554X(80)90948-9
中图分类号：
TH7 [仪器、仪表];
学科分类号：
0804 ; 080401 ; 081102 ;
摘要：
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页码：499 / 502
页数：4
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共 1 条
[1]   LOW-NOISE OXIDE PASSIVATED P+N SILICON DETECTORS [J].
KEIL, G ;
LINDNER, E .
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS, 1972, 101 (01) :43-&
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