MECHANISM OF SILICON ETCHING BY A CF4 PLASMA

被引：108

作者：

MAUER, JL

LOGAN, JS

ZIELINSKI, LB

SCHWARTZ, GC

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1978年 / 15卷 / 05期

关键词：

Compendex;

D O I：

10.1116/1.569836

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

SEMICONDUCTING SILICON

引用

页码：1734 / 1738

页数：5

共 7 条

[1] ION-SURFACE INTERACTIONS IN PLASMA ETCHING [J].

COBURN, JW ;

WINTERS, HF ;

CHUANG, TJ .

HARSHBARGER, WR ;

PORTER, RA ;

MILLER, TA ;

NORTON, P .

[3] CONTROL OF RELATIVE ETCH RATES OF SIO2 AND SI IN PLASMA ETCHING [J].

HEINECKE, RAH .

[4]

REINBERG A, 1976, P S ETCH, P91

[5]

SCHWARTZ GC, 1976, P S ETCHING PATTERN, P122

[6]

SCHWARTZ GC, 1977, 152ND M EL SOC ATL, P142

[7] KINETIC ISOTOPE-EFFECT IN DISSOCIATIVE CHEMISORPTION OF METHANE [J].

WINTERS, HF .