CRYSTAL-GROWTH OF SIAS

被引：2

作者：

SUDO, I

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1980年 / 19卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.19.755

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：755 / 756

页数：2

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[1] ELECTRICAL PROPERTIES OF MELT-GROWN SILICON MONOARSENIDE [J].

CHU, TL ;

KELM, RW .

SOLID-STATE ELECTRONICS, 1971, 14 (12) :1259-&

[2] CRYSTAL GROWTH OF SILICON ARSENIDE [J].

CHU, TL ;

KELM, RW ;

CH, SSC .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1971, 42 (03) :1169-&

[3] VAPOR GROWN SIAS CRYSTALS [J].

ING, SW ;

CHIANG, YS ;

HAAS, W .

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1967, 114 (07) :761-&

[4]

WADSTEN T, 1965, ACTA CHEM SCAND, V19, P1233