A NEW STATIC MEMORY CELL BASED ON THE REVERSE BASE CURRENT EFFECT OF BIPOLAR-TRANSISTORS

被引：20
作者：
SAKUI, K
HASEGAWA, T
FUSE, T
WATANABE, S
OHUCHI, K
MASUOKA, F
机构：
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1989年 / 36卷 / 06期
关键词：
D O I：
10.1109/16.24372
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：1215 / 1217
页数：3
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