OBSERVATION OF INTRINSIC BISTABILITY IN RESONANT TUNNELLING DEVICES

被引：75

作者：

ALVES, ES ^{[1
]}

EAVES, L ^{[1
]}

HENINI, M ^{[1
]}

HUGHES, OH ^{[1
]}

LEADBEATER, ML ^{[1
]}

SHEARD, FW ^{[1
]}

TOOMBS, GA ^{[1
]}

HILL, G ^{[1
]}

PATE, MA ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV SHEFFIELD,DEPT ELECTR & ELECT ENGN,SHEFFIELD S1 3JD,S YORKSHIRE,ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19880809

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1190 / 1191

页数：2

共 5 条

GOLDMAN, VJ ;

TSUI, DC ;

CUNNINGHAM, JE .

SHEARD, FW ;

TOOMBS, GA .

SOLLNER, TCLG .

[4]

TOOMBS GA, 1988, I PHYS C SER, V91, P581

[5]

TOOMBS GA, 1987, 14TH P INT S GALL AR