UNIDIRECTIONAL CONTRACTION IN BORON-IMPLANTED LASER-ANNEALED SILICON

被引：61

作者：

LARSON, BC

WHITE, CW

APPLETON, BR

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1978年 / 32卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1063/1.89936

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：801 / 803

页数：3

相关论文

共 4 条

[1]

CZAYA W, 1966, J APPL PHYS, V37, P3441

[2] ASYMMETRIC X-RAY BRAGG REFLECTION AND SHALLOW STRAIN DISTRIBUTION IN SILICON SINGLE-CRYSTALS [J].

FUKUHARA, A ;

TAKANO, Y .

JOURNAL OF APPLIED CRYSTALLOGRAPHY, 1977, 10 (AUG1) :287-290

[3] DETERMINATION OF STRAIN DISTRIBUTIONS FROM X-RAY BRAGG REFLECTION BY SILICON SINGLE-CRYSTALS [J].

FUKUHARA, A ;

TAKANO, Y .

ACTA CRYSTALLOGRAPHICA SECTION A, 1977, 33 (JAN1) :137-142

[4] LASER ANNEALING OF BORON-IMPLANTED SILICON [J].

YOUNG, RT ;

WHITE, CW ;

CLARK, GJ ;

NARAYAN, J ;

CHRISTIE, WH ;

MURAKAMI, M ;

KING, PW ;

KRAMER, SD .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1978, 32 (03) :139-141