MEASUREMENT OF NEUTRON ENERGY-DEPENDENCE OF BASE CURRENT DEGRADATION OF A SILICON BIPOLAR-TRANSISTOR

被引:4
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作者
MCKENZIE, JM [1 ]
WITT, LJ [1 ]
机构
[1] SANDIA LABS,ALBUQUERQUE,NM 87115
关键词
D O I
10.1109/TNS.1973.4327417
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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页数:8
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