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CONCENTRATION-DEPENDENCE OF THE SOLID-PHASE EPITAXIAL-GROWTH RATE IN TE IMPLANTED SI
被引:12
作者
:
CAMPISANO, SU
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CAMPISANO, SU
BARBARINO, AE
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BARBARINO, AE
机构
:
来源
:
APPLIED PHYSICS
|
1981年
/ 25卷
/ 02期
关键词
:
D O I
:
10.1007/BF00901288
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
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相关论文
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SUPERSATURATED SOLID-SOLUTIONS AFTER SOLID-PHASE EPITAXIAL-GROWTH IN BI-IMPLANTED SILICON
CAMPISANO, SU
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[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1980,
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(02)
: 170
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[2]
SOLUTE TRAPPING BY MOVING INTERFACE IN ION-IMPLANTED SILICON
CAMPISANO, SU
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RIMINI, E
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APPLIED PHYSICS LETTERS,
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[3]
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[1]
SUPERSATURATED SOLID-SOLUTIONS AFTER SOLID-PHASE EPITAXIAL-GROWTH IN BI-IMPLANTED SILICON
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1980,
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SOLUTE TRAPPING BY MOVING INTERFACE IN ION-IMPLANTED SILICON
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RIMINI, E
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APPLIED PHYSICS LETTERS,
1980,
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REORDERING OF AMORPHOUS LAYERS OF SI IMPLANTED WITH P-31, AS-75, AND B-11 IONS
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Kendall D. L., 1969, Semiconductor silicon, P358
[7]
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1977,
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