LIQUIDUS ISOTHERMS, SOLIDUS LINES AND LPE GROWTH IN THE TE-RICH CORNER OF THE HG-CD-TE SYSTEM

被引：103

作者：

HARMAN, TC

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1007/BF02822728

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：945 / 961

页数：17

共 21 条

[1]

BLAIR J, 1961, METALLURGY ELEMENTAL, V12, P393

BOWERS, JE ;

SCHMIT, JL ;

SPEERSCHNEIDER, CJ ;

MACIOLEK, RB .

[3]

COHENSOLAL G, 1965, CR HEBD ACAD SCI, V261, P931

[4]

COHENSOLAL G, 1974, JPN J APPL PHYS, P517

FOSS, NA .

[6]

HANSEN M, 1958, CONSTITUTION BINARY, P840

[7]

HARMAN TC, 1979, J ELECTRON MATER, V8, P191, DOI 10.1007/BF02663272

[8] VACUUM DEPOSITION OF HG0.8CD0.2TE [J].

HOHNKE, DK ;

HOLLOWAY, H ;

LOGOTHET.EM ;

CRAWLEY, RC .

[9]

HSIEH JJ, 1974, J CRYST GROWTH, V27, P49, DOI 10.1016/0022-0248(74)90418-7

[10]

HULME KF, 1965, MATERIALS USED SEMIC, P117