THE STATE OF CS ON NEGATIVE ELECTRON-AFFINITY SURFACES

被引：9
作者：
MIYAO, M
WADA, T
NITTA, T
HAGINO, M
机构：
来源：
APPLIED SURFACE SCIENCE | 1988年 / 33-4卷
关键词：
D O I：
10.1016/0169-4332(88)90328-5
中图分类号：
O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];
学科分类号：
070304 ; 081704 ;
摘要：
引用
收藏
页码：364 / 369
页数：6
相关论文
共 3 条
[1]   X-RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY, ULTRAVIOLET PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY, AND AUGER-ELECTRON SPECTROSCOPY STUDY OF (CS-O) ACTIVATED GAAS(100) SURFACES [J].
BESANCON, M ;
LANDERS, R ;
JUPILLE, J .
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS, 1987, 5 (04) :2025-2027
[2]   INSITU SURFACE STUDY OF THE ACTIVATING LAYER ON GAAS (CS, O) PHOTOCATHODES [J].
RODWAY, DC ;
ALLENSON, MB .
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 1986, 19 (07) :1353-1371
[3]   PHOTOELECTRON SPECTROSCOPIC DETERMINATION OF THE STRUCTURE OF (CS,O) ACTIVATED GAAS (110) SURFACES [J].
SU, CY ;
SPICER, WE ;
LINDAU, I .
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1983, 54 (03) :1413-1422
1