ASCL3 FLOW-RATE DEPENDENCE ON PROPERTIES OF EPITAXIALLY GROWN GALLIUM ARSENIDE

被引：8

作者：

AOKI, T

YAMAGUCHI, M

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1971年 / 10卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.10.953

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：953 / +

页数：1

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