CALCULATION OF IR REFLECTION SPECTRA OF INHOMOGENEOUSLY DOPED SEMICONDUCTORS

被引：16
作者：
HILD, E
GROFCSIK, A
机构：
来源：
INFRARED PHYSICS | 1978年 / 18卷 / 01期
关键词：
D O I：
10.1016/0020-0891(78)90006-4
中图分类号：
O43 [光学];
学科分类号：
070207 ; 0803 ;
摘要：
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页码：23 / 33
页数：11
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共 9 条
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ABE, T ;
NISHI, Y .
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1968, 7 (04) :397-&
[2]   *LADMITTANCE OPTIQUE DES COUCHES HOMOGENES ET HETEROGENES [J].
BLAISSE, BS .
JOURNAL DE PHYSIQUE ET LE RADIUM, 1950, 11 (07) :315-320
[3]  
DIXON JR, 1969, OPTICAL PROPERTIES S, P61
[4]  
HILD E, UNPUBLISHED
[5]   RESISTIVITY OF BULK SILICON AND OF DIFFUSED LAYERS IN SILICON [J].
IRVIN, JC .
BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1962, 41 (02) :387-+
[6]  
KUKHARSKII AA, 1966, FTT, V8, P735
[7]  
PHILLIPS RP, 1965, TR22 IBM REP, P197
[8]  
STRELTZOV LM, 1971, DETERMINATION ELECTR
[9]   REFLECTION COEFFICIENT OF OPTICALLY INHOMOGENEOUS SOLIDS [J].
SUBASHIE.VK ;
KUKHARSK.AA .
PHYSICA STATUS SOLIDI, 1967, 23 (02) :447-&
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