INHOMOGENEOUS OXYGEN PRECIPITATION AND STACKING-FAULT FORMATION IN CZOCHRALSKI SILICON

被引：8

作者：

INOUE, N

OOSAKA, J

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1978年 / 17卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.17.2051

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：2051 / 2052

页数：2

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共 2 条

[1] JENKINS MW, 1977, J ELECTROCHEM SOC, V124, P757, DOI 10.1149/1.2133401
[2] Pearce C.W., 1977, SEMICONDUCTOR SILICO, P606