INHOMOGENEOUS OXYGEN PRECIPITATION AND STACKING-FAULT FORMATION IN CZOCHRALSKI SILICON

被引：8
作者：
INOUE, N
OOSAKA, J
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1978年 / 17卷 / 11期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.17.2051
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
收藏
页码：2051 / 2052
页数：2
相关论文
共 2 条
[1]  
JENKINS MW, 1977, J ELECTROCHEM SOC, V124, P757, DOI 10.1149/1.2133401
[2]  
Pearce C.W., 1977, SEMICONDUCTOR SILICO, P606
1