POSSIBLE USE OF SLOW-NEUTRON SCATTERING FOR STUDY OF HEAVILY DOPED SEMICONDUCTORS

被引：0

作者：

ANDRIANO.DG

TARASOV, LV

机构：

来源：

SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1968年 / 2卷 / 06期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

页码：660 / &

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