AN ON-CHIP BACK-BIAS GENERATOR FOR MOS DYNAMIC MEMORY

被引：10

作者：

MARTINO, WL

MOENCH, JD

BORMANN, AR

TESCH, RC

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1980.1051477

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：820 / 826

页数：7

相关论文

共 7 条

[1] LEAKAGE STUDIES IN HIGH-DENSITY DYNAMIC MOS MEMORY DEVICES [J].

CHATTERJEE, PK ;

TAYLOR, GW ;

TASCH, AF ;

FU, HS .

[2]

FORD DC, 1979, ELECTRONICS 0215, P141

[3]

ITOH K, 1980, ISSCC FEB, P228

[4]

LEE JM, 1979, ISSCC DIG TECH PAPER, P142

[5]

RAO GRM, 1978, ELECTRONICS 0928, P111

[6]

REESE E, 1979, IEDM, P355

[7]

WHITE LS, 1980, ISSCC DIG TECH PAPER, P230