SILICON DIVACANCY AND ITS DIRECT PRODUCTION BY ELECTRON IRRADIATION

被引：104
作者：
CORBETT, JW
WATKINS, GD
机构：
来源：
PHYSICAL REVIEW LETTERS | 1961年 / 7卷 / 08期
关键词：
D O I：
10.1103/PhysRevLett.7.314
中图分类号：
O4 [物理学];
学科分类号：
0702 ;
摘要：
引用
收藏
页码：314 / &
相关论文
共 3 条
[1]   DEFECTS IN IRRADIATED SILICON .2. INFRARED ABSSORPTION OF SI-A CENTER [J].
CORBETT, JW ;
WATKINS, GD ;
CHRENKO, RM ;
MCDONALD, RS .
PHYSICAL REVIEW, 1961, 121 (04) :1015-&
[2]   DEFECTS IN IRRADIATED SILICON .1. ELECTRON SPIN RESONANCE OF SI-A CENTER [J].
WATKINS, GD ;
CORBETT, JW .
PHYSICAL REVIEW, 1961, 121 (04) :1001-&
[3]  
WATKINS GD, DISCUSSIONS FARADAY
1