P-CHANNEL VERSUS N-CHANNEL IN MOS-ICS OF SUB-MICRON CHANNEL LENGTHS

被引：5

作者：

DANG, LM ^{[1
]}

IWAI, H ^{[1
]}

NISHI, Y ^{[1
]}

TAGUCHI, S ^{[1
]}

机构：

[1] TOSHIBA CORP,DIV SEMICOND,SEMICOND ENGN LAB,KAWASAKI 210,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.7567/JJAPS.19S1.107

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：107 / 112

页数：6

共 5 条

[1]

DANG LM, 1979, IEEE J SOLID-ST CIRC, V14, P358

FANG, FF ;

FOWLER, AB .

[3]

KASAI R, 1979, T I ELECTRON COMMUN, P389

[4] DRIFT-VELOCITY SATURATION OF HOLES IN SI INVERSION LAYERS [J].

SATO, T ;

TAKEISHI, Y ;

TANGO, H ;

OHNUMA, H ;

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[5]

1967, IEEE T ELECTRON DEVI, V14, P37