MILLIMETER-WAVELENGTH GAAS PERMEABLE BASE TRANSISTORS

被引：6

作者：

ALLEY, GD ^{[1
]}

BOZLER, CO ^{[1
]}

ECONOMOU, NP ^{[1
]}

FLANDERS, DC ^{[1
]}

GEIS, MW ^{[1
]}

LINCOLN, GA ^{[1
]}

LINDLEY, WT ^{[1
]}

MCCLELLAND, RW ^{[1
]}

MURPHY, RA ^{[1
]}

NICHOLS, KB ^{[1
]}

PIACENTINI, WJ ^{[1
]}

RABE, S ^{[1
]}

SALERNO, JP ^{[1
]}

VOJAK, BA ^{[1
]}

机构：

[1] MIT,LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1982.21007

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1708 / 1708

页数：1