SURFACE DECOMPOSITION OF GAAS SUBSTRATES IN LPE GROWTH OF INGAASP AND ITS EFFECT ON CRYSTAL QUALITY

被引：13
作者：
MUKAI, S
YAJIMA, H
SHIMADA, J
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1981年 / 20卷 / 05期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.20.1001
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
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页码：1001 / 1002
页数：2
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