INFLUENCE OF PHOSPHOSILICATE GLASS DEPOSITION CONDITIONS ON SURFACE STATE CHARGE AT SILICON-SILICON DIOXIDE INTERFACE

被引:3
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作者
YEOW, YT [1 ]
CLANCY, JW [1 ]
LAMB, DR [1 ]
机构
[1] SOUTHAMPTON UNIV,ELECTR DEPT,SOUTHAMPTON,HAMPSHIRE,ENGLAND
关键词
D O I
10.1080/00207217308938418
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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页数:5
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