AMORPHOUS TBFECO WITH INPLANE EASY ANISOTROPY FOR MEMORY APPLICATIONS

被引：6
作者：
VANDENBERG, HAM
SCHUSTER, K
RUPP, G
SCHOENEWARNEFELD, A
MARKO, W
机构：
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS | 1989年 / 25卷 / 05期
关键词：
D O I：
10.1109/20.42282
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：3344 / 3346
页数：3
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