LATTICE LOCATION OF LEAD IMPLANTED INTO SILICON AT ROOM-TEMPERATURE

被引：2

作者：

CHRISTODOULIDES, CE ^{[1
]}

GRANT, WA ^{[1
]}

WILLIAMS, JS ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV SALFORD,DEPT ELECT ENGN,SALFORD M5 4WT,LANCASHIRE,ENGLAND

来源：

APPLIED PHYSICS | 1977年 / 13卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1007/BF00882616

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：391 / 393

页数：3

共 9 条

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GRANT, WA ;

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