AUGER RECOMBINATION RATE IN INGAASP LASERS

被引：11
作者：
BURT, MG
机构：
来源：
ELECTRONICS LETTERS | 1982年 / 18卷 / 19期
关键词：
D O I：
10.1049/el:19820548
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
引用
收藏
页码：806 / 807
页数：2
相关论文
共 12 条
[11]   NONRADIATIVE CARRIER LOSS AND TEMPERATURE SENSITIVITY OF THRESHOLD IN 1.27 MU-M (GALN)(ASP)-INP DH LASERS [J].
THOMPSON, GHB ;
HENSHALL, GD .
ELECTRONICS LETTERS, 1980, 16 (01) :42-44
[12]   NONRADIATIVE RECOMBINATION IN INGAASP-INP LIGHT-SOURCES CAUSING LIGHT-EMITTING DIODE OUTPUT SATURATION AND STRONG LASER-THRESHOLD-CURRENT TEMPERATURE SENSITIVITY [J].
UJI, T ;
IWAMOTO, K ;
LANG, R .
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1981, 38 (04) :193-195
12