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- [11] LOW-TEMPERATURE GROWTH OF ALN AND AL2O3 FILMS BY THE SIMULTANEOUS USE OF A MICROWAVE ION-SOURCE AND AN IONIZED CLUSTER BEAM SYSTEM[J]. THIN SOLID FILMS, 1988, 157 (01) : 143 - 158TAKAOKA, HISHIKAWA, JTAKAGI, T
LOW-TEMPERATURE FORMATION OF SILICON-NITRIDE AND OXIDE-FILMS BY THE SIMULTANEOUS USE OF A MICROWAVE ION-SOURCE AND AN ICB SOURCE
被引：4
作者：
ISHIKAWA, J
[1
]
MATSUGATANI, K
[1
]
TAKAOKA, G
[1
]
机构：
[1] KYOTO UNIV,ION BEAM ENGN LAB,KYOTO 606,JAPAN
来源：
关键词：
D O I：
10.1016/0042-207X(89)91101-9
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
引用
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页码：1111 / 1113
页数：3
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