HILLOCKS ON EPITAXIAL GAAS GROWN FROM TRIMETHYLGALLIUM AND ARSINE

被引：25

作者：

BALIGA, BJ ^{[1
]}

GHANDHI, SK ^{[1
]}

机构：

[1] RENSSELAER POLYTECH INST,ELECTROPHYS & ELECTR ENGN DIV,TROY,NY 12181

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(74)90262-0

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：314 / 316

页数：3

共 5 条

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