PROFILE COMPARISON OF BORON IMPLANTED INTO SILICON

被引：0

作者：

ALBERS, JH

EHRSTEIN, JR

WILSON, RG

COMAS, J

机构：

[1] NBS,WASHINGTON,DC 20234

[2] HUGHES RES LABS,MALIBU,CA 90265

[3] USN,RES LAB,WASHINGTON,DC 20375

来源：

BULLETIN OF THE AMERICAN PHYSICAL SOCIETY | 1980年 / 25卷 / 03期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：202 / 203

页数：2