ADMITTANCE MEASUREMENT OF IMPATT DIODE AT X-BAND

被引：1

作者：

ISOBE, T

NAKAMURA, T

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TMTT.1970.1127391

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：993 / &

共 7 条

[1] APPROXIMATE LARGE-SIGNAL ANALYSIS OF IMPATT OSCILLATORS [J].

BLUE, JL .

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1969, 48 (02) :383-+

[2]

DUNN CN, 1969, IEEE T MICROW THEORY, VMT17, P691

[3]

GEWARTOWSKI JW, 1970, IEEE T MICROW THEORY, VMT18, P157

[4] AVALANCHE REGION OF IMPATT DIODES [J].

GUMMEL, HK ;

SCHARFETTER, DL .

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1966, 45 (10) :1797-+

[5]

HAITZ RH, 1968, IEEE T ELECTRON DEVI, VED15, P350

[6]

KRAMER NB, 1968, IEEE T ELECTRON DEVI, VED15, P838

[7]

SCHARFETTER DL, 1969, IEEE T ELECTRON DEVI, VED16, P64