GROWTH-KINETICS OF EPITAXIAL LAYERS OF SILICON-CARBIDE OBTAINED BY SUBLIMATION IN VACUUM

被引：0
作者：
TAIROV, YM
TARANETS, VA
TSVETKOV, VF
机构：
来源：
INORGANIC MATERIALS | 1978年 / 14卷 / 08期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
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页码：1122 / 1125
页数：4
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共 4 条
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  • [2] FAYANS OA, 1974, THESIS LENINGRAD
  • [3] TARANETS VA, 1976, IZV LETI, P75
  • [4] WEINBERG F, 1973, PHYSICAL RES APPARAT
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