A THEORY OF ENHANCED IMPACT IONIZATION DUE TO THE GATE FIELD AND MOBILITY DEGRADATION IN THE INVERSION LAYER OF MOSFETS - COMMENT

被引：3
作者：
ROTHWARF, A
机构：
来源：
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1986年 / 7卷 / 07期
关键词：
D O I：
10.1109/EDL.1986.26435
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
引用
收藏
页码：457 / 457
页数：1
相关论文
共 2 条
1