RADIATION EFFECTS ON ION-IMPLANTED SILICON-DIOXIDE FILMS

被引:2
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作者
KATO, M
WATANABE, K
OKABE, T
机构
关键词
D O I
10.1109/23.45425
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:2199 / 2204
页数:6
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