ACCUMULATION OF DIVACANCIES IN SILICON SUBJECTED TO PROLONGED NEUTRON-IRRADIATION

被引：0
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作者：
ZHUKOVSKII, PV
KANTOROV, SB
STELMAKH, VF
TADEUSH, NN
SHILAGARDI, G
机构：
来源：
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1990年 / 24卷 / 08期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
引用
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页码：922 / 923
页数：2
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