EPITAXIAL INDIUM ARSENIDE BY VACUUM EVAPORATION

被引：19

作者：

GODINHO, N

BRUNNSCH.A

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(70)90006-7

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：47 / &

共 13 条

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