MISFIT DISLOCATIONS IN INXGA1-XAS/GAAS HETEROSTRUCTURES NEAR THE CRITICAL THICKNESS

被引：0

作者：

COCKAYNE, D

ORDERS, P

SIKORSKI, A

USHER, B

ZHOU, J

机构：

来源：

EVALUATION OF ADVANCED SEMICONDUCTOR MATERIALS BY ELECTRON MICROSCOPY | 1989年 / 203卷

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TH742 [显微镜];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：395 / 402

页数：8